Prof. Dr.-Ing. Dipl.-Phys. Kirsten Weide-Zaage
Prof. Dr.-Ing. Dipl.-Phys. Kirsten Weide-Zaage
Telefon
Fax
Adresse
Appelstr. 4
30167 Hannover
30167 Hannover
Gebäude
Raum
-
Publikationsliste
Zeige Ergebnisse 101 - 107 von 107
1999
Finite element analysis of thermal-mechanical stress induced failure in interconnects. / Yu, X.; Weide, K.
in: Materials Research Society Symposium - Proceedings, Jahrgang 539, 1999, S. 269-274.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Konferenzaufsatz in Fachzeitschrift › Forschung › Peer-Review
1998
Influence of the material properties on the thermal behaviour of a package. / Weide, Kirsten; Keck, Christian; Yu, Xiaoying.
Microelectronic manufacturing, yield, reliability, and failure analysis IV: 23 - 24 September 1998, Santa Clara, California. Bellingham: SPIE, 1998. S. 112-121 (Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering; Band 3510).Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review
1997
A study of the thermal - electrical- and mechanical influence on degradation in an aluminum - pad structure. / Yu, X.; Weide, K.
in: Microelectronics reliability, Jahrgang 37, Nr. 10-11, 1997, S. 1545-1548.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
Investigations of mechanical stress and electromigration in an aluminum meander structure. / Yu, Xiaoying; Weide, Kirsten.
Microelectronic Manufacturing Yield, Reliability, and Failure Analysis III: 1 - 2 October 1997, Austin, Texas. Bellingham: SPIE, 1997. S. 160-166 (Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering; Band 3216).Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review
1996
Finite element investigations of mechanical stress in metallization structures. / Weide, K.; Yu, X.; Menhorn, F.
in: Microelectronics reliability, Jahrgang 36, Nr. 11-12 SPEC. ISS., 1996, S. 1703-1706.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
1995
Model calculations on a bipolar transistor emitter interconnection with different contact shapes. / Weide, K.; Ullmann, J.; Hasse, W.
in: Applied surface science, Jahrgang 91, Nr. 1-4, 02.10.1995, S. 234-238.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › Peer-Review
1992
3-dimensional simulations of temperature and current density distribution in a via structure. / Weide, K.; Hasse, W.
Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium). Publ by IEEE, 1992. S. 361-365 (Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium)).Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Sammelwerk/Konferenzband › Aufsatz in Konferenzband › Forschung › Peer-Review
-
Forschungsprojekte
Systementwurf
-
Simulation von elektronischen Bauelementen und Komponenten unter Einfluss von StrahlungSimulation von elektronischen Bauelementen und Komponenten unter Einfluss von StrahlungLeitung: PD Dr.-Ing. Dipl.-Phys. K. Weide-ZaageTeam: Dipl. -Ing. Aymen MoujbaniJahr: 2014Laufzeit: 01.09.2013-31.01.2015
-
Component reliability in high temperature automotive applications (Rely)Thermisch-elektrisch-mechanische Simulation, Degradationsmodellierung auf Device-LevelLeitung: PD Dr.-Ing. Dipl.-Phys. K. Weide-ZaageTeam: Dipl.-Ing. Jörg KludtJahr: 2014Laufzeit: 01.05.2011-30.04.2013
![]()
![]()
-
Untersuchung zur Simulation von Bauelementen und Komponenten für die Entwicklung strahlenrobuster autonomer SystemeIm Zuge der Miniaturisierung moderner integrierter Schaltungen verändert sich die Strahlenhärte der Systeme und Komponenten. Daraus resultierend ist es notwendig, die die Strahlenhärte beeinflussenden Mechanismen im Halbleiter zu bestimmen.Leitung: PD Dr.-Ing. Dipl.-Phys. Kirsten Weide-ZaageJahr: 2015Laufzeit: 01.02.2015-31.12.2017
-
Entwurf und Test von Bauelementen und Komponenten für die Entwicklung strahlenrobuster autonomer System unter Hochtemperatur-UmgebungenDie Eignung von Bauelementen und Komponenten für die Entwicklung strahlungsrobuster autonomer Systeme, die insbesondere mit einer langen Verweildauer in einer strahlenbelasteten Umgebung ihren Einsatz finden, hängt stark von der Dimensionierung sowie dem Herstellungsprozess der Bauelemente und Komponenten ab. Simulationen können helfen, die physikalischen Zusammenhänge besser zu verstehen. Im geplanten Projekt ist der Entwurf und Test von Halbleiterkomponenten unter erschwerten Umwelt-Bedingungen wie Strahlung und Temperatur geplant.Leitung: apl. Prof. Dr.-Ing. Dipl.-Phys. Kirsten Weide-ZaageJahr: 2021Laufzeit: 1.9.2019- 31.8.2022
![]()
![]()
-
