A 500V, 6.25MHz GaN-IC With Gate Driver and Level Shifter for Off-Line Power Supplies

verfasst von: Niklas Deneke, Bernhard Wicht
Abstract: Gallium Nitride (GaN) technology enables essential progress in energy efficiency and density, especially in off-line power supplies. This letter presents a monolithic GaN-IC, including a half-bridge, formed by two high-voltage power FETs with respective gate drivers and a high-voltage level shifter, forming a signal interface between high-side and low-side domain, making use of a GaN-on-SOI technology. Verified by experimental results, it achieves 500-V switching at 6.25 MHz and is thus well suited for off-line power supplies.
Organisationseinheit(en): Fachgebiet Mixed-Signal-Schaltungen
Laboratorium für Nano- und Quantenengineering
Typ: Artikel
Journal: IEEE Solid-State Circuits Letters
Band: 7
Seiten: 207-210
Anzahl der Seiten: 4
ISSN: 2573-9603
Publikationsdatum: 07.06.2024
Publikationsstatus: Veröffentlicht
Peer-reviewed: Ja
ASJC Scopus Sachgebiete: Elektrotechnik und Elektronik
Ziele für nachhaltige Entwicklung: SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie
Elektronische Version(en): https://doi.org/10.1109/lssc.2024.3411390 (Zugang: Geschlossen)