SRAM memory cell and method for compensating a leakage current for it

verfasst von

Yannick Martelloni, Thomas Nirschl, Bernhard Wicht

Organisationseinheit(en)

Fachgebiet Mixed-Signal-Schaltungen

Externe Organisation(en)

Infineon Technologies AG

Typ

Patent

Publikationsdatum

04.01.2006

Publikationsstatus

Veröffentlicht