Simulation of the influence of TiAl 3 layers on the thermal-electrical and mechanical behaviour of Al metallizations
- verfasst von
- J. Kludt, K. Weide-Zaage, M. Ackermann, V. Hein
- Abstract
Al/Ti/TiN metallizations form TiAl 3 layers during the annealing process. The influence of TiAl 3 layers on the thermal-electrical- mechanical behaviour is investigated here. For high temperature automotive and industrial applications in a 0.35 μm CMOS process the test structures have to be approved. The thermal-electrical-mechanical behaviour of the test structures is calculated by simulations. Two aluminium deposition temperatures of 250 °C and 470 °C were considered. The Ti-based layer thicknesses forming the TiAl 3 as well as the whole metallization thickness were investigated. The simulations show a good correlation with measurements.
- Organisationseinheit(en)
-
Laboratorium f. Informationstechnologie
- Externe Organisation(en)
-
X-FAB Silicon Foundries SE
- Typ
- Artikel
- Journal
- Microelectronics reliability
- Band
- 52
- Seiten
- 1987-1992
- Anzahl der Seiten
- 6
- ISSN
- 0026-2714
- Publikationsdatum
- 09.2012
- Publikationsstatus
- Veröffentlicht
- Peer-reviewed
- Ja
- ASJC Scopus Sachgebiete
- Elektronische, optische und magnetische Materialien, Atom- und Molekularphysik sowie Optik, Sicherheit, Risiko, Zuverlässigkeit und Qualität, Physik der kondensierten Materie, Oberflächen, Beschichtungen und Folien, Elektrotechnik und Elektronik
- Elektronische Version(en)
-
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.06.129 (Zugang:
Unbekannt)
